通道是指内存控制器与内存模块之间的一个独立的数据路径。在多通道内存技术中，多个通道可以并行工作，从而显著提高内存带宽，进而提升系统性能。现代CPU通常支持双通道、四通道甚至更多通道的设计。

通过并行使用多个通道，可以有效减少内存访问的瓶颈，特别是在处理大量数据传输的任务时，多通道设计能够显著提高数据传输速度，使系统在执行多任务或多线程应用时表现得更加流畅。

一个通道可以包含一个或多个DIMM。例如，在双通道系统中，可以有两个DIMM分别连接到两个独立的通道上，使得数据可以同时从两个不同的DIMM中读取或写入。

DIMM是一种标准的内存模块形式，它通过插入主板上的插槽来与系统通信。每个DIMM模块通常包含多个内存颗粒（Chips），并且可能包含一个或多个Rank。

DIMM作为内存的物理载体，不仅负责存储数据，还通过其上的电路设计实现了与内存控制器之间的高效数据传输。不同类型的DIMM（如UDIMM、RDIMM、LRDIMM等）适用于不同的应用场景。

一个DIMM可以包含一个或多个Rank，以及多个Chip。例如，一个DIMM可能包含两个Rank，每个Rank上有多个Chip。

Rank是DIMM上的一个独立的内存地址空间，每个Rank由一定数量的内存颗粒组成。在同一个DIMM上，可以存在一个或多个Rank，它们之间可以并行工作。

通过允许多个Rank并行工作，可以进一步提高内存带宽，这对于需要大量数据吞吐的应用场景尤其重要。

一个DIMM可以包含一个或多个Rank。例如，一个DIMM可能包含两个Rank，这意味着该DIMM实际上由两个独立的内存区域组成。

Chip是构成内存条的基本单元，每个Chip负责存储一部分数据。一个Chip通常包含多个Bank。

内存颗粒是实际存储数据的地方，每个颗粒有自己的地址和数据线，负责执行具体的读写操作。

一个Rank可以包含多个Chip。例如，一个Rank可能由8个Chip组成，每个Chip负责存储一部分数据。

Bank是内存中的一个逻辑存储单元，可以看作是内存中的一个独立的存储区域。每个Bank包含多个Row和Column，形成一个二维数组结构。

通过允许多个Bank并行工作，可以进一步提高内存访问速度。这是因为当一个Bank正在执行读取或写入操作时，另一个Bank可以同时进行其他操作。

一个Rank可以包含多个Bank。例如，一个Rank可能包含8个Bank，每个Bank负责一部分存储空间。

Row：内存中的行是指存储在一个Bank内的数据单元的垂直排列。

Column：内存中的列是指存储在一个Bank内的数据单元的水平排列。

通过组合行地址和列地址，可以定位到内存中的具体数据单元。这是实现随机访问存储器（RAM）功能的基础。

一个Bank可以包含多个Row和Column。例如，一个Bank可能包含数千行和数千列，每个交叉点代表一个存储单元（Cell）。

最顶层：Channel

一个Channel可以包含一个或多个DIMM。

次层级：DIMM

一个DIMM可以包含一个或多个Rank。

再下一层：Rank

一个Rank可以包含多个Bank。同时，一个Rank也可以包含多个Chip。

更细粒度：Bank

一个Bank可以包含多个Row和Column。

最底层：Row（行）与 Column（列）

行和列共同定义了内存中的具体数据单元的位置。

笼统上讲从大到小为：channel>DIMM>rank>chip>bank>row/column

多rank允许每个rank中有多个打开的 DRAM pages（row）（通常每个rank有8个row）。这增加了命中已经打开的row地址的可能性。性能提升高度依赖于应用程序和内存控制器利用打开row的能力。

多rank在数据总线上具有更高的负载（在无缓冲 DIMM CA 总线也一样）。因此，如果一个通道中连接了多个dual-rank DIMM，速度可能会降低。

受限于某些限制，可以独立访问rank，但不能同时访问，因为数据线仍然在通道上的列之间共享。例如，控制器可以在等待从一个rank中读取的数据时，将写入数据发送到一个rank。当写入数据从数据总线消费时，另一rank可以执行与读取相关的操作，例如激活一行或将数据从内部传输到输出驱动器。一旦 CA 总线没有了来自前一次读取的噪声，DRAM 就可以驱动读取数据。像这样控制交错访问是由内存控制器完成的。

CPU 可以访问一个rank，而另一个rank可以进行刷新周期（准备好被访问）。刷新周期的屏蔽和流水线通常会为CPU 密集型应用程序带来更好的性能，因为它减少了内存响应时间。但是访问不同rank在某些情况下会导致流水线停滞，从而降低性能。因此，多级rank的整体影响因应用程序而异。